一般来说，官方宣扬数据都是最理想的状况，有时候还会掺杂一些水分，可是你见过实测比官方数字更美丽的吗？

  台积电已在本月开端5nm工艺的试产，第二季度内投入规划量产，苹果A14、华为麒麟1020、AMDZen 4等处理器都会使用它，并且音讯称初期产能现已被客户彻底包圆，尤其是苹果占了最大头。

  台积电没有发布5nm工艺的详细目标，只知道会大规划集成EUV极紫外光刻技能，不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。

  WikiChips经过剖析后估量，台积电5nm的栅极距离为48nm，金属距离则是30nm，鳍片距离25-26nm，单元高度约为180nm，照此核算，台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。

  比较于初代7nm的每平方毫米9120万个，这一数字增加了足足88％，而台积电官方宣扬的数字是84％。

  尽管这些年摩尔定律逐步失效，尽管台积电的工艺常常面对质疑，但不得不敬服台积电的推动速度，要知道16nm工艺量产也仅仅不到5年前的工作，那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个，5nm现已是它的简直六倍！

  别的，台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个，5nm是它的近3.3倍。

  本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 修改 串接NPN型

  基极要求注入电流，发生电流的电压有必要高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极

  管子多用于集成扩大电路中的电流源电路。 请问关于这种多发射极或多集电极的

  ，其本质是一个电流扩大器，经过基射极电流操控集射极电流。 1、当基射极电流很小可忽略不计时，此刻

  年代，5G成为了一种逐步重要的通讯技能，它能够大起伏的进步传输速度和低延时，以完成更高的数据传输质量。而华为公司最近发布了自家

  。 在器材层面，依据实在的状况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓

  根据Arm Cortex-CM85内核的RA8D1作为操控器 经过MIPI DSI完成LVGL显现

  重磅！英特尔发布intel3制程至强6能效核处理器，赋能数据中心能效晋级

  I.MX6ULL-飞凌 ElfBoard ELF1板卡 - 如安在Ubuntu中编译OpenCV库(X86架构）

  嵌入式学习-飞凌ElfBoard ELF 1板卡 - 如安在Ubuntu中编译OpenCV库

  无刷电机用的单电阻采样的FOC，拿天线贴着电机线或许靠近采样芯片，电机就会停转