金融界2024年1月30日音讯，据国家知识产权局公告，长鑫存储技能有限公司请求一项名为“静电防护结构及存储器“，揭露号CN117476635A，请求日期为2022年7月。

  专利摘要显现，本揭露触及半导体电路规划范畴，特别触及一种静电防护结构及存储器，静电防护结构包含：衬底，以及接连设置在衬底中的榜首阱区、第二阱区和第三阱区；榜首反型掺杂区和榜首同型掺杂区，设置于榜首阱区内；第二反型掺杂区、第三反型掺杂区和第二同型掺杂区，设置于第二阱区内；第四反型掺杂区和第三同型掺杂区，设置于第三阱区内；其间，榜首反型掺杂区和第三反型掺杂区用于衔接榜首信号端，第二反型掺杂区和第四反型掺杂区用于衔接第二信号端，榜首同型掺杂区、第二同型掺杂区和第三同型掺杂区电衔接，以规划面积小，触发电压低，静电防护能力强的静电防护结构，然后满意低压高速存储器产品的静电防护要求。